InGaAs 2.5Gbps PIN PD Chip For GPON - PD1050B、PD1050F
Features
Bandwidths up to 10GHz
High Responsivity
Low Capacitance
Low Dark Current
Top Illuminated planar structure
Diode on Semi Insulating Substrates
Anode/Cathode Pads on Front Side
Application
GPON (+Super TIA)
10G EPON
Long-haul optical networks
WDM, ATM
Fiber-optic Datacom
Specification (Tc=25℃)
PARAMETER | SYMBOL | MIN | TYP | MAX | UNIT | TEST CONDITIONS |
Response range | λ | 900 | 1650 | nm | ||
Responsivity | R | 0.8 | 0.85 | A/W | λ=1310nm | |
0.9 | λ=1550nm | |||||
Dark current | ID | 0.08 | 0.5 | nA | VR=5V | |
Capacitance | C | 0.12 | 0.20 | pF | VR=2V, f=1MHz | |
Bandwidth | Bw | 10.0 | GHz | 3dB down, RL=50Ω |
产品应用覆盖光接入网、5G无线通信、光传输网、数据中心、微波光子、量子通信、屏下传感、HDMI、气体传感、红外成像、激光雷达等领域，并可提供不同响应波长的各种大面积光探测器芯片及一维和二维光探测器阵列芯片等定制服务。
——产品应用覆盖光接入网、5G无线通信、光传输网、数据中心、微波光子、量子通信、屏下传感、HDMI、气体传感、红外成像、激光雷达等领域，并可提供不同响应波长的各种大面积光探测器芯片及一维和二维光探测器阵列
