InGaAs 2.5Gbps APD Chip For OLTOLT端用高灵敏度2.5Gbps 雪崩光电探测器芯片


INTRODUCTION介绍


打印本文             

InGaAs 2.5Gbps APD Chip For OLT - OS-APD50S


Features 

   High speed

   High responsivity

   Low capacitance

   Low dark current

   Top illuminated planar structure

 

Application

   GPON, PON OLT

   Long-haul optical networks

   Fiber-optic Datacom

   Fiber Channel

  

Specification  (Tc=25℃)  

PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Response range

λ

900


1650

nm


Breakdown Voltage

VBR

40


52

V

Id=10uA

Temperature coefficient
  of VBR



0.12


V/℃


Responsivity

R

10

13


A/W

VR=VBR-3V

Dark current

ID


0.4

10.0

nA

VBR-3V

Capacitance

C


0.18

0.3

pF

VR=38V, f=1MHz

Bandwidth

Bw


2.5


GHz



上一篇
下一篇10Gbps APD Chip For XG-PON OLT

产品中心HONESTY CREATES QUALITY AND INNOVATION LEADS THE FUTURE

专注于光通信、数据中心、5G移动通信、HDMI等光纤通信用半导体光探测器芯片

——

河北光森电子科技有限公司主要产品以光通信用半导体近红外探测器为主,另外提供半导体紫外探测器、半导体THz探测器等。产品应用覆盖光通信系统(5G通信、光纤到户)、数据中心、物联网及自动控制等领域,并可提

Learn more