GaAs 850nm 50Gbps PAM4 / 850nm 200Gbps PAM4 1x4 Array PD Chip
OS-GaAs2838 / OS-GaAs4x2838
Features
Bandwidth up to 28GHz
φ38um active area
Low capacitance
GSG Electrode Structure
Application
50Gbps PAM4
200Gbps PAM4
100Gbps SFP+
Specification (Tc=25℃, Single Die)
PARAMETER | SYMBOL | MIN | TYP | MAX | UNIT | TEST CONDITIONS |
Response range | λ | 840 | 850 | 860 | nm | |
Responsivity | R | 0.55 | 0.6 | A/W | λ=850nm | |
Dark current | ID | 0.01 | 0.05 | nA | VR=-5V | |
Capacitance | C | 0.07 | 0.10 | pF | VR=-2V, f=1MHz | |
Bandwidth | Bw | 28.0 | GHz | VR=-2V 3dB down, RL=50Ω |
2023-08
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2023-08
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2023-08
45um 850nm 25Gbps / 100Gbps GaAs PIN PD Chip Features High data rates up to 25Gbps Resonsiable for 850nm High responsivity Low capacitance L…… [了解更多]
产品应用覆盖光接入网、5G无线通信、光传输网、数据中心、微波光子、量子通信、屏下传感、HDMI、气体传感、红外成像、激光雷达等领域，并可提供不同响应波长的各种大面积光探测器芯片及一维和二维光探测器阵列芯片等定制服务。
——产品应用覆盖光接入网、5G无线通信、光传输网、数据中心、微波光子、量子通信、屏下传感、HDMI、气体传感、红外成像、激光雷达等领域，并可提供不同响应波长的各种大面积光探测器芯片及一维和二维光探测器阵列
